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2023-06
壓縮式真空計(jì),上接一根頂端封閉的毛細(xì)管,下端與“Y”形管的一端口相接,“Y”形管下方接汞儲(chǔ)存器,使用時(shí),將真空系統(tǒng)與“Y”形管口相接,轉(zhuǎn)動(dòng)真空計(jì),是汞壓縮氣體,再轉(zhuǎn)至垂直位置讀取“測(cè)量毛細(xì)管”與“比毛細(xì)管”的液面差,即為所測(cè)真空度。壓縮真空計(jì)優(yōu)點(diǎn)在于測(cè)量的準(zhǔn)確性高,可作為真空計(jì)量的標(biāo)準(zhǔn)器。
2023-06-27
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2023-06
應(yīng)當(dāng)怎樣對(duì)我的真空爐進(jìn)行泄漏檢測(cè)?
真空爐的泄漏檢測(cè)主要采用兩種方法:噴吹法和吸嘴法。噴吹法是傳統(tǒng)的泄漏檢測(cè)方法,它是將爐膛抽成真空,并在爐外施加氦氣(比如連接氦質(zhì)譜儀),然后觀察結(jié)果。
2023-06-27
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2023-06
加熱溫度過高或在高溫下保溫時(shí)間過長(zhǎng),引起奧氏體晶粒粗化稱為過熱。粗大的奧氏體晶粒會(huì)導(dǎo)致鋼的強(qiáng)韌性降低,脆性轉(zhuǎn)變溫度升高,增加淬火時(shí)的變形開裂傾向。而導(dǎo)致過熱的原因是爐溫儀表失控或混料(常為不懂工藝發(fā)生的)。過熱組織可經(jīng)退火、正火或多次高溫回火后,在正常情況下重新奧氏化使晶粒細(xì)化。
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快速退火爐廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn),和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長(zhǎng)、消除應(yīng)力和致密化等工藝當(dāng)中,通過快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,技術(shù)指標(biāo)高、工藝復(fù)雜、專用性強(qiáng)。
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真空鍍膜設(shè)備,主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空離子蒸發(fā),磁控濺射,MBE分子束外延,PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。
2023-06-27